型号:  TSM200N03DPQ33 RGG

功能描述:  MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PDFN33-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  20 A

Rds On-漏源导通电阻:  17 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  4.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  20 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

晶体管类型:  Dual N-Channel PowerMOSFET

商标:  Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  13 S

下降时间:  4.6 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7.2 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  15.8 ns

典型接通延迟时间:  2.8 ns