型号: TSM200N03DPQ33 RGG
功能描述: MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PDFN33-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 4.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 20 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: Dual N-Channel PowerMOSFET
商标: Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 13 S
下降时间: 4.6 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.2 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 15.8 ns
典型接通延迟时间: 2.8 ns
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