型号: TSM1NB60SCT B0G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 500mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 138pF @ 25V
功率耗散（最大值）: 2.5W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 10 欧姆 @ 250mA，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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