型号: TSM2310CX RFG
功能描述: Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2310CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商: Taiwan Semiconductor
通道类型: N
最大连续漏极电流: 4 A
最大漏源电压: 20 V
最大漏源电阻值: 100 m0hms
最大栅阈值电压: 1.2V
最大栅源电压: -12 V、+12 V
封装类型: SOT-23
安装类型: 表面贴装
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
最大功率耗散: 1.25 W
最低工作温度: -55 °C
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
长度: 3.1mm
高度: 1.2mm
宽度: 1.7mm
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 8.6 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 550 pF@ 10 V
典型关断延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
尺寸: 3.1 x 1.7 x 1.2mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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