型号: TSM2311CX RFG
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 640pF @ 6V
功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 55 毫欧 @ 4A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-23
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：骆小姐，周小姐，高先生，曹先生
电话：18124020586
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：陈之平
电话：88600487
Q Q:
联系人：詹
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：13622673179
Q Q:
