型号: TSM4NB65CH C5G
功能描述: MOSFET 650V N channel Mosfet
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.6 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 13.46 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Taiwan Semiconductor
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 1875
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 340 mg
联系人：Alien
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