型号:  TSM60NB1R4CH C5G

功能描述:  MOSFET 600V, 4A, 1.4OHMS N Channel Power Mosfet

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-251-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  3 A

Rds On-漏源导通电阻:  1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  7.12 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  28.4 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Taiwan Semiconductor

下降时间:  8.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11.4 ns

工厂包装数量:  3750

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  28 ns

典型接通延迟时间:  13.8 ns

单位重量:  340 mg