型号: TSM60NB600CI C0G
功能描述: Taiwan Semiconductor N沟道 MOSFET TSM60NB600CI C0G, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 ITO-220S封装
制造商: Taiwan Semiconductor
通道类型: N
最大连续漏极电流: 8 A
最大漏源电压: 600 V
最大漏源电阻值: 600 m0hms
最大栅阈值电压: 4V
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: ±30 V
封装类型: ITO-220S
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 32 W
正向二极管电压: 1.4V
尺寸: 10 x 4.6 x 15mm
最低工作温度: -55 °C
最高工作温度: +150 °C
典型输入电容值@Vds: 743 pF @ 100 V
典型关断延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
宽度: 4.6mm
每片芯片元件数目: 1
高度: 15mm
长度: 10mm
典型栅极电荷@Vgs: 13 nC @ 10 V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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