TSM60NB600CI C0G规格参数_TSM60NB600CI C0G全国代理商/分销商

型号: TSM60NB600CI C0G
功能描述: Taiwan Semiconductor N沟道 MOSFET TSM60NB600CI C0G, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 ITO-220S封装
制造商: Taiwan Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 8 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 600 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： ±30 V
封装类型： ITO-220S
安装类型：通孔
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 32 W
正向二极管电压： 1.4V
尺寸： 10 x 4.6 x 15mm
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
典型输入电容值@Vds： 743 pF @ 100 V
典型关断延迟时间： 40 ns
典型接通延迟时间： 21 ns
宽度： 4.6mm
每片芯片元件数目： 1
高度： 15mm
长度： 10mm
典型栅极电荷@Vgs： 13 nC @ 10 V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs