型号:  TSM6502CR RLG

功能描述:  MOSFET N&P Channel Power MOSFET

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PDFN56-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  5.4 A, 4 A

Rds On-漏源导通电阻:  28 mOhms, 73 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V, - 4.5 V

Qg-栅极电荷:  20.8 nC, 9.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  40 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Taiwan Semiconductor

下降时间:  18 ns, 44 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  25 ns, 28 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  18 ns, 44 ns

典型接通延迟时间:  7.4 ns, 4 ns