型号: TSM7N65CI C0
功能描述: MOSFET 650V 3Amp N Channel Pwr MOSFET Isolated
制造商: Taiwan Semiconductor
安装风格： Through Hole
配置： Single
晶体管极性： N-Channel
连续漏极电流： 7 A
正向跨导 - 闵： 3.7 S
RDS（ON）： 1.2 Ohms
封装： Reel
功率耗散： 30 W
封装/外壳： TO-220-3 FP
栅极电荷Qg： 46 nC
上升时间： 14 nS
漏源击穿电压： 650 V
RoHS： RoHS Compliant
下降时间： 19 nS
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