型号: TSM8N80CZ
功能描述: MOSFET
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 8 A
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 41 nC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
商标: Taiwan Semiconductor
配置: Single
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