型号: TTC009,F(M
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 3A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 80V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 500mA，5V
功率 - 最大值： 2W
频率 - 跃迁： 150MHz
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商器件封装： TO-220NIS
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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