型号: UMW7N65F
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: -
类型: N沟道
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13823793399
Q Q:
联系人：陈斌
电话：13358237547
Q Q:
联系人：adi
电话：68134913
Q Q:
联系人：Frank
Q Q:
