型号: UPA2600T1R-E2-AX
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 7.9nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 870pF @ 10V
功率耗散（最大值）: 2.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 19.1 毫欧 @ 3.5A，2.5V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 6-HUSON（2x2）
封装/外壳: 6-PowerWDFN
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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