型号: UPA2630T1R-E2-AX
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1260pF @ 10V
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 59 毫欧 @ 3.5A，1.8V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 6-HUSON（2x2）
封装/外壳: 6-PowerWDFN
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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