型号:  US6M2TR

功能描述:  MOSFET N+P 20V 1.5A/1A

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363T-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V, 30 V

Id-连续漏极电流:  1 A, 1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  240 mOhms, 390 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  700 mV, 500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  1.6 nC, 2.1 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.77 mm

长度:  2 mm

系列:  US6M2

晶体管类型:  1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET

类型:  MOSFET

宽度:  1.7 mm

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  6 ns, 10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9 ns, 8 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  15 ns, 25 ns

典型接通延迟时间:  7 ns, 9 ns

零件号别名:  US6M2

单位重量:  7.500 mg