型号:  US6T6TR

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT PNP BIPOLAR 30V 2A

制造商:  ROHM Semiconductor

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  30V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  180mV @ 50mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  270 @ 200mA, 2V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  360MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装：  TUMT6

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

单位包：  3000

最小起订量：  3000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  2A

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  360MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  180mV @ 50mA, 1A

标准包装：  3,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  30V

供应商设备封装：  TUMT6

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  6-SMD, Flat Leads

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  270 @ 200mA, 2V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  US6T6CT

工厂包装数量：  3000

增益带宽产品fT：  360 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  6 V

最大功率耗散：  1000 mW

直流集电极/增益hfe最小值：  270 at 200 mA at 2 V

直流电流增益hFE最大值：  270 at 200 mA at 2 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  30 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  30 V

集电极最大直流电流：  2 A

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant