型号: VB162K
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：250mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.3Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 250mA
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 3.3Ω @ 200mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 300mW
类型: N沟道
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