型号: VB7638
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 7A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 30mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 5W
类型: N沟道
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