型号: VBA1328
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：320mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.1W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: -
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 320mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 4.1W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：周小姐，高先生，曹先生，骆小姐
电话：13760272017
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：曹先生，吴小姐
电话：18617161819
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13310877445
Q Q:
联系人：蔡雪颖
电话：13798628598
Q Q:
联系人：陈桂祥
Q Q:
