型号: VBA3638
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W(Tc) 类型：双N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 40mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 4W(Tc)
类型: 双N沟道
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