型号: VBA5102M
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A,1.7A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：240mΩ @ 2A,10V;490mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W,1.1W 类型：N沟道和P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.3A,1.7A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA,2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 240mΩ @ 2A,10V;490mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1W,1.1W
类型: N沟道和P沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：林丽佳
电话：15112531338
Q Q:
联系人：詹东生
电话：137985888873
Q Q:
联系人：李先生
电话：18028765167
Q Q:
