型号: VBE1101N
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.25W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 85A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 10mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.25W
类型: N沟道
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：朱琳
电话：18718681541
Q Q:
联系人：郑秋兰
电话：18948314942
Q Q:
联系人：郭R
电话：13410243748
Q Q:
