型号: VBE1410
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 37A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 55A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 14mΩ @ 37A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 100W
类型: N沟道
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：高先生
Q Q:
联系人：胡火平
电话：13713793406
Q Q:
联系人：杨小姐
电话：1
Q Q:
