型号: VBE1638
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 35A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 45mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 100W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：陈亮明
电话：18172927110
Q Q:
联系人：覃景
Q Q:
联系人：林彦辉
电话：13790241994
Q Q:
