型号: VBE16R02
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.4Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.4Ω @ 1.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 42W(Tc)
类型: N沟道
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