型号: VBE1806
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W 类型:N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 75A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 5.5mΩ @ 75A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 62.5W
类型: N沟道
联系人:Alien
联系人:张小姐
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:彭小姐
联系人:骆小姐,周小姐,高先生,曹先生
电话:18124020586
联系人:李
联系人:曾美禾
电话:13641488418
TEX SEEYAN INTERNATIONAL LIMITED
联系人:LEO
电话:13603075810
联系人:姚小姐
电话:14774935925