型号: VBE2102M
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.8A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 3.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.1W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8.8A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 350mΩ @ 3.4A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 32.1W
类型: P沟道
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：陈琪
电话：15815278706
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：13528882567
Q Q:
联系人：李茜
电话：13163724960
Q Q:
