型号: VBMB165R20S
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):208W 类型:N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 20A
栅源极阈值电压: 5V @ 250uA
漏源导通电阻: -
最大功率耗散(Ta=25°C): 208W
类型: N沟道
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