型号: VBTA2245N
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：550mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 100mA,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：190mW 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 550mA
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 600mΩ @ 100mA,1.8V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 190mW
类型: P沟道
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