型号: VMO580-02F
功能描述: IXYS/分立半导体产品
制造商: IXYS
标准包装： 2
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 模块
系列： HiPerFET??
包装： 散装
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 580A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3.8 毫欧 @ 430A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 50mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 2750nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： -
安装类型： 底座安装
封装/外壳： Y3-Li
供应商器件封装： Y3-Li
其它名称： Q1221985AVMO58002F
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林
电话：15002093329
Q Q:
联系人：刘玉花
电话：13302927908
Q Q:
联系人：尹先生
电话：13556809913
Q Q:
