型号: VN10LFTA
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 3A
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 150 mA
Rds On-漏源导通电阻: 5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 330 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
系列: VN10
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 100 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 4 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
单位重量: 8 mg
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