型号:  VND7NV04-E

功能描述:  MOSFET N-Ch 42V 6A OmniFET

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Id-连续漏极电流:  6 A

Rds On-漏源导通电阻:  60 mOhms

Qg-栅极电荷:  18 nC

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  60 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Tube

系列:  VND7NV04

晶体管类型:  1 N-Channel OMNIFET II Power MOSFET

商标:  STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:  9 S

下降时间:  350 ns, 3.6 us

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  470 ns, 4.6 us

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  500 ns, 5.4 us

典型接通延迟时间:  100 ns, 0.75 us

单位重量:  4 g