型号: VS-GP300TD60S
功能描述: IGBT 晶体管 Ic 300A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
制造商: Vishay Semiconductors
制造商: Vishay
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: DIAP
安装风格: Chassis Mount
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: -
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 580 A
Pd-功率耗散: 1.136 kW
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
集电极最大连续电流 Ic: 580 A
商标: Vishay Semiconductors
栅极—射极漏泄电流: +/- 500 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 12
子类别: IGBTs
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