型号: VS-GT100TP120N
功能描述: Vishay Semiconductor Diodes Division/分立半导体产品
制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
标准包装： 24
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 模块
系列： -
IGBT 类型： 沟道
配置： 半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 180A
功率 - 最大值： 652W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.35V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）： 5mA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）： 12.8nF @ 30V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
安装类型： 底座安装
封装/外壳： INT-A-PAK（3 + 4）
供应商器件封装： INT-A-PAK
其它名称： VSGT100TP120N
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：汤浩
电话：13714597827
Q Q:
联系人：蔡生
电话：18682209020
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：15813714218
Q Q:
