型号: VS-GT200TP065N
功能描述: IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
制造商: Vishay Semiconductors
制造商: Vishay
产品种类: IGBT 模块
配置: Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
在25 C的连续集电极电流: 221 A
栅极—射极漏泄电流: 600 nA
Pd-功率耗散: 600 W
封装 / 箱体: INT-A-PAK
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
商标: Vishay Semiconductors
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 24
子类别: IGBTs
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：朱芳仪
电话：18123863116
Q Q:
联系人：邵金
电话：13954634366
Q Q:
联系人：李林
电话：18680328178
Q Q:
