型号: WNM6001-3/TR
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：690mW 类型：N沟道
制造商: WILLSEMI(韦尔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 500mA
栅源极阈值电压: 2V @ 250uA
漏源导通电阻: 2Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 690mW
类型: N沟道
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：Dream
电话：18124960793
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：夏
Q Q:
