型号: WNMD2153-6/TR
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：810mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：310mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：双N沟道
制造商: WILLSEMI(韦尔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 810mA
栅源极阈值电压: 850mV @ 250uA
漏源导通电阻: 310mΩ @ 550mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 310mW
类型: 双N沟道
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