型号: WPT2N31-6/TR
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：260mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道
制造商: WILLSEMI(韦尔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.7A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 260mΩ @ 550mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.2W
类型: N沟道
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：肖海坚
电话：13267795073
Q Q:
联系人：陆先生
电话：15220131016
Q Q:
联系人：尹学
电话：17817281186
Q Q:
