型号: WSD30L60DN56
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W 类型：P沟道
制造商: WINSOK微硕
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 15A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 17mΩ @ 10A,6V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 4.2W
类型: P沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
TEX SEEYAN INTERNATIONAL LIMITED
联系人：LEO
电话：13603075810
Q Q:
联系人：苏旭贞
电话：13662623371
Q Q:
联系人：唐雄峰
电话：18688951644
Q Q:
