型号:  ZDT649TA

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT Dual 25V NPN

制造商:  Diodes Inc. / Zetex

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  1,000

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

- 集电极电流（Ic）（最大）：  2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  25V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  500mV @ 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 1A, 2V

功率 - 最大：  2.75W

频率转换：  240MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-223-8

供应商器件封装：  SM8

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

RoHS：  RoHS Compliant

配置：  Dual

晶体管极性：  NPN

集电极 - 基极电压VCBO：  35 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  25 V

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

集电极 - 发射极饱和电压：  25 V

集电极最大直流电流：  2 A

增益带宽产品fT：  240 MHz

直流集电极/增益hfe最小值：  70 at 50 mA at 2 V, 100 at 1 A at 2 V, 75 at 2 A at 2 V, 15 at 6 A at 2 V

最高工作温度：  + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SM-8

连续集电极电流：  2 A

直流电流增益hFE最大值：  70

最大功率耗散：  2.75 W

最低工作温度：  - 55 C

封装：  Reel

工厂包装数量：  1000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  2A

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  240MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  500mV @ 200mA, 2A

标准包装：  1,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  25V

供应商设备封装：  SM8

功率 - 最大：  2.75W

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 1A, 2V

其他名称：  ZDT649TR

RoHS指令：  Contains lead / RoHS non-compliant