型号:  ZTX558STZ

功能描述:   Trans GP BJT PNP 400V 0.2A 3-Pin E-Line Box

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

晶体管类型：  PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  200mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  400V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  500mV @ 6mA, 50mA

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 50mA, 10V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  50MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Box (TB)

包装：  3E-Line

类型：  PNP

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  400 V

集电极最大直流电流：  0.2 A

最小直流电流增益：  100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V

最大工作频率：  50(Min) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.2@2mA@20mA|0.5@6mA@50mA V

工作温度：  -55 to 200 °C

最大功率耗散：  1000 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Ammo Pack

单位包：  2000

最小起订量：  2000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  200mA

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  50MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  500mV @ 6mA, 50mA

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  400V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

封装：  Tape & Box (TB)

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  E-Line-3, Formed Leads

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 50mA, 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  2000

集电极 - 发射极饱和电压：  - 0.5 V

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  - 5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  100 at 1 mA at 10 V, 100 at 50 mA at 10 V, 15 at 100 mA at 10 V

直流电流增益hFE最大值：  100 at 1 mA at 10 V

增益带宽产品fT：  50 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  - 400 V

安装风格：  Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：  - 400 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C