型号: ZTX853
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
集电极—基极电压 VCBO: 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 160 mV
最大直流电集电极电流: 4 A
增益带宽产品fT: 130 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: ZTX853
高度: 4.01 mm
长度: 4.77 mm
封装: Bulk
宽度: 2.41 mm
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 4 A
Pd-功率耗散: 1.2 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
单位重量: 453.600 mg
联系人:唐伟,吕年英
电话:13510558532
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