型号:  ZVN2106GTA

功能描述:  MOSFET N-Chnl 60V T/R

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  710 mA

Rds On-漏源导通电阻:  2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.65 mm

长度:  6.7 mm

系列:  ZVN2106

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  FET

宽度:  3.7 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  0.3 S

下降时间:  15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  12 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

单位重量:  112 mg