型号:  ZVN3310A

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  200mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  10 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  40pF @ 25V

功率 - 最大：  625mW

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Bulk

包装：  3E-Line

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  100 V

最大连续漏极电流：  0.2 A

RDS -于：  10000@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  5(Max) ns

典型上升时间：  7(Max) ns

典型关闭延迟时间：  6(Max) ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  TO-92

包装高度：  4.01(Max)

最大功率耗散：  625

渠道类型：  N

最大漏源电阻：  10000@10V

最低工作温度：  -55

最大漏源电压：  100

每个芯片的元件数：  1

包装宽度：  2.41(Max)

供应商封装形式：  E-Line

包装长度：  4.77(Max)

PCB：  3

最大连续漏极电流：  0.2

引脚数：  3

铅形状：  Through Hole

单位包：  4000

最小起订量：  4000

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Bulk

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  200mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.4V @ 1mA

供应商设备封装：  TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  10 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  625mW

漏极至源极电压（Vdss）：  100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  40pF @ 25V

封装/外壳：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  4000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  200 mA

安装风格：  Through Hole

RDS（ON）：  10 Ohms

功率耗散：  625 mW

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  TO-92

上升时间：  7 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  100 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  7 ns

Continuous Drain Current Id：  :200mA

Drain Source Voltage Vds：  :100V

On Resistance Rds(on)：  :10ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :2.4V

功耗：  :625mW

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :E-Line

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)