型号:  ZVN4206AVSTZ

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  600mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  1 Ohm @ 1.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  100pF @ 25V

功率 - 最大：  700mW

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3E-Line

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  0.6 A

RDS -于：  1000@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  8(Max) ns

典型关闭延迟时间：  12(Max) ns

典型下降时间：  15(Max) ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Ammo Pack

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  2.41(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  700

最大漏源电压：  60

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  1000@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  E-Line

标准包装名称：  TO-92

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  4.77(Max)

引脚数：  3

包装高度：  4.01(Max)

最大连续漏极电流：  0.6

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Through Hole

单位包：  2000

最小起订量：  2000

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  600mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 1mA

供应商设备封装：  TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  1 Ohm @ 1.5A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  700mW

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  100pF @ 25V

封装/外壳：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  ZVN4206AVSCT

工厂包装数量：  2000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  600 mA

安装风格：  Through Hole

RDS（ON）：  1.5 Ohms

功率耗散：  0.7 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  TO-92

上升时间：  12 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  60 V