型号: ZVN4206GVTC
功能描述: MOSFET N-Chnl 60V
制造商: Diodes Inc.
Rohs: Lead free / RoHS Compliant
标准包装: 4,000
FET 型 : MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点: Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS): 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C: 1A
Rds(最大)@ ID,VGS: 1 Ohm @ 1.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id: 3V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS: -
输入电容(Ciss)@ Vds的: 100pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安装类型 : Surface Mount
包/盒 : TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223
包装材料 : Tape & Reel (TR)
FET特点: Logic Level Gate
封装: Tape & Reel (TR)
安装类型: Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C: 1A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id: 3V @ 1mA
封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
开态Rds(最大)@ Id ,V GS: 1 Ohm @ 1.5A, 10V
FET型: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大: 2W
标准包装: 4,000
漏极至源极电压(Vdss): 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS: 100pF @ 25V
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