型号:  ZVN4525E6TC

功能描述:   MOSFET N-Chnl 250V

制造商:  Diodes Inc. / Zetex

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  10,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  250V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  230mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  8.5 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.8V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3.65nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  72pF @ 25V

功率 - 最大：  1.1W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-23-6

供应商器件封装：  SOT-23-6

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

产品种类：  MOSFET

RoHS：  RoHS Compliant

晶体管极性：  N-Channel

漏源击穿电压：  250 V

源极击穿电压：  +/- 40 V

连续漏极电流：  230 mA

抗漏源极RDS （ ON）：  9.5 Ohms

配置：  Single Quad Drain

最高工作温度：  + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SOT-23-6

封装：  Reel

下降时间：  1.7 ns

最低工作温度：  - 55 C

功率耗散：  1.1 W

上升时间：  1.7 ns

工厂包装数量：  10000

典型关闭延迟时间：  11.4 ns

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  230mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1.8V @ 1mA

供应商设备封装：  SOT-23-6

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  8.5 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.1W

标准包装：  10,000

漏极至源极电压（Vdss）：  250V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  72pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.65nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant