型号: ZVP2106AS
功能描述: MOSFET P-Chnl 60V
制造商: Diodes Inc.
Rohs: Lead free / RoHS Compliant
标准包装: 2,000
FET 型 : MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点: Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS): 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C: 280mA
Rds(最大)@ ID,VGS: 5 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id: 3.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS: -
输入电容(Ciss)@ Vds的: 100pF @ 18V
功率 - 最大: 700mW
安装类型 : Through Hole
包/盒 : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装: TO-92-3
包装材料 : Bulk
FET特点: Logic Level Gate
封装: Bulk
安装类型: Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C: 280mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id: 3.5V @ 1mA
封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商设备封装: TO-92-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS: 5 Ohm @ 500mA, 10V
FET型: MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大: 700mW
标准包装: 2,000
漏极至源极电压(Vdss): 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS: 100pF @ 18V
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