型号:  ZX5T3ZTC

功能描述:   Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

晶体管类型：  PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  5.5A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  40V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  185mV @ 550mA, 5.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  20nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  200 @ 500mA, 2V

功率 - 最大：  2.1W

频率转换：  152MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-243AA

供应商器件封装：  SOT-89-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-89

类型：  PNP

引脚数：  4

最大集电极发射极电压：  40 V

集电极最大直流电流：  5.5 A

最小直流电流增益：  200@10mA@2V|200@500mA@2V|170@2A@2V|110@5.5A@2V

最大工作频率：  152(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.03@10mA@0.1A|0.06@100mA@1A|0.07@50mA@1A|0.165@10mA@1A|0.08@200mA@2A|0.175@40mA@2A|0.175@175mA@3.5A|0.185@550mA@5.5A V

最大集电极基极电压：  50 V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  3000 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

单位包：  4000

最小起订量：  4000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  5.5A

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  152MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  185mV @ 550mA, 5.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  20nA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  40V

供应商设备封装：  SOT-89-3

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  2.1W

封装/外壳：  TO-243AA

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  200 @ 500mA, 2V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  4000

增益带宽产品fT：  152 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  7.5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  200

直流电流增益hFE最大值：  200

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  40 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  50 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single