型号:  ZXM41N10FTA

功能描述:   MOSFET 100VN-Chnl HDMOS

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知：  End Of Life 16/Aug/2010

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  170mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  8 Ohm @ 150mA, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  25pF @ 25V

功率 - 最大：  360mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  SOT-23-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  SOT-23

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  8000@4.5V

最大漏源电压：  100

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  SOT-23

最大功率耗散：  360

最大连续漏极电流：  0.17

引脚数：  3

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Standard

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  170mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1.5V @ 1mA

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：  SOT-23-3

其他名称：  ZXM41N10FTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  8 Ohm @ 150mA, 4.5V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  360mW

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  25pF @ 25V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant