型号: ZXM41N10FTA
功能描述: MOSFET 100VN-Chnl HDMOS
制造商: Diodes Inc.
Rohs: Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知: End Of Life 16/Aug/2010
标准包装: 3,000
FET 型 : MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点: Standard
漏极至源极电压(VDSS): 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C: 170mA
Rds(最大)@ ID,VGS: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id: 1.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS: -
输入电容(Ciss)@ Vds的: 25pF @ 25V
功率 - 最大: 360mW
安装类型 : Surface Mount
包/盒 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
包装材料 : Tape & Reel (TR)
最大门源电压: ±20
欧盟RoHS指令: Compliant
最高工作温度: 150
通道模式: Enhancement
标准包装名称: SOT-23
最低工作温度: -55
渠道类型: N
封装: Tape and Reel
最大漏源电阻: 8000@4.5V
最大漏源电压: 100
每个芯片的元件数: 1
供应商封装形式: SOT-23
最大功率耗散: 360
最大连续漏极电流: 0.17
引脚数: 3
铅形状: Gull-wing
FET特点: Standard
安装类型: Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C: 170mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id: 1.5V @ 1mA
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
其他名称: ZXM41N10FTR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V
FET型: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大: 360mW
标准包装: 3,000
漏极至源极电压(Vdss): 100V
输入电容(Ciss ) @ VDS: 25pF @ 25V
RoHS指令: Lead free / RoHS Compliant
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